Каштальян, А.С.Макаришкін, Д.А.Бабій, Ю.О.2013-06-172013-06-172012Каштальян, А. С. Модель НВЧ польового транзистора з бар'єром Шоткі [Текст] / А. С. Каштальян, Д. А. Макаришкін, Ю. О. Бабій // Вісник Хмельницького національного університету. Технічні науки. – 2012. – № 6. – С. 195-199.https://elar.khmnu.edu.ua/handle/123456789/255В роботі розглянуто переваги використання нейромережевого підходу для створення моделей електронних компонентів, підсистем та систем. Зокрема розроблено модель для НВЧ польового транзистора з бар’єром Шоткі, характеристики якого відрізняються нелінійністю. Проаналізовано S параметри транзистора, отримані експериментально та в результаті моделювання.The advantages of neural network approach using for creating of electronic component, subsystem and system models, are described in article. In particular, the model of microwave frequency unipolar transistor with Schottky junction, it has nonlinear behavior. S parameters experimentally obtained and as result of simulation are analyzed.ukпольовий транзисторнейронна мережамодельнелінійністьпохибкаfield-effect transistora neural network modelnonlinearityuncertaintyСтаття621.317.1