(Хмельницький національний університет, 2012) Каштальян, А.С.; Макаришкін, Д.А.; Бабій, Ю.О.
В роботі розглянуто переваги використання нейромережевого підходу для створення моделей
електронних компонентів, підсистем та систем. Зокрема розроблено модель для НВЧ польового транзистора з
бар’єром Шоткі, характеристики якого відрізняються нелінійністю. Проаналізовано S параметри транзистора,
отримані експериментально та в результаті моделювання.