Модель НВЧ польового транзистора з бар'єром Шоткі

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКаштальян, А.С.
dc.contributor.authorМакаришкін, Д.А.
dc.contributor.authorБабій, Ю.О.
dc.date.accessioned2013-06-17T12:10:30Z
dc.date.available2013-06-17T12:10:30Z
dc.date.issued2012
dc.description.abstractВ роботі розглянуто переваги використання нейромережевого підходу для створення моделей електронних компонентів, підсистем та систем. Зокрема розроблено модель для НВЧ польового транзистора з бар’єром Шоткі, характеристики якого відрізняються нелінійністю. Проаналізовано S параметри транзистора, отримані експериментально та в результаті моделювання.uk_UA
dc.description.abstractThe advantages of neural network approach using for creating of electronic component, subsystem and system models, are described in article. In particular, the model of microwave frequency unipolar transistor with Schottky junction, it has nonlinear behavior. S parameters experimentally obtained and as result of simulation are analyzed.uk_UA
dc.identifier.citationКаштальян, А. С. Модель НВЧ польового транзистора з бар'єром Шоткі [Текст] / А. С. Каштальян, Д. А. Макаришкін, Ю. О. Бабій // Вісник Хмельницького національного університету. Технічні науки. – 2012. – № 6. – С. 195-199.uk_UA
dc.identifier.urihttps://elar.khmnu.edu.ua/handle/123456789/255
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherХмельницький національний університетuk_UA
dc.subjectпольовий транзисторuk_UA
dc.subjectнейронна мережаuk_UA
dc.subjectмодельuk_UA
dc.subjectнелінійністьuk_UA
dc.subjectпохибкаuk_UA
dc.subjectfield-effect transistoruk_UA
dc.subjecta neural network modeluk_UA
dc.subjectnonlinearityuk_UA
dc.subjectuncertaintyuk_UA
dc.subject.udc621.317.1uk_UA
dc.titleМодель НВЧ польового транзистора з бар'єром Шоткіuk_UA
dc.typeСтаттяuk_UA
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
6.16.pdf
Розмір:
326.32 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Назва:
license.txt
Розмір:
4.26 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Вісник ХНУ. Технічні науки - 2012 рік