Investigation of low power schottky diode I-V characteristics

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorKashtalian, A.S.
dc.contributor.authorКаштальян, А.С.
dc.date.accessioned2015-04-30T13:42:45Z
dc.date.available2015-04-30T13:42:45Z
dc.date.issued2014
dc.description.abstractAbstract. I‐V characteristics of semiconductor ultrahigh frequency diode are considered in articles, such diodes are used for detection of an electromagnetic field and measurement of its density. The equivalent scheme of the ultrahigh frequency semiconductor diode, its parameters and its influence on the I‐V characteristics are examined. Approximation of IV curves of such class particular diodes is performed. Characteristics are divided into separate quadratic and linear zones for this purpose. Possibility of obtaining I‐V curve parameters by means of linear regression is offered.uk_UA
dc.description.abstractВ статті розглянуто вольт‐амперні характеристики напівпровідникових надвисокочастотних діодів, що використовуються для детектування електромагнітних полів та вимірювання їх інтенсивності. Досліджено еквівалентну схему надвисокочастотного напівпровідникового діода, її параметри та їх вплив на вольт‐амперну характеристику. Виконано апроксимацію вольт‐амперних характеристик окремих діодів такого типу, для чого характеристики розбиті на квадратичну та лінійну ділянки. Запропоновано можливість отримання параметрів вольт‐амперної характеристики із застосуванням лінійної регресії.uk_UA
dc.identifier.citationKashtalian, A.S. Investigation of low power schottky diode I-V characteristics [Текст] / A. S. Kashtalian // Вісник Хмельницького національного університету. Технічні науки. – 2014. – № 4. – С. 53-56.uk_UA
dc.identifier.issn2307-5732
dc.identifier.urihttps://elar.khmnu.edu.ua/handle/123456789/3649
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherХмельницький національний університетuk_UA
dc.subjectmicrowave diodeuk_UA
dc.subjectapproximationuk_UA
dc.subjectequivalent schemeuk_UA
dc.subjectvolt‐ampere characteristicsuk_UA
dc.subjectlinear regressionuk_UA
dc.subjectнадвисокочастотний діодuk_UA
dc.subjectапроксимаціяuk_UA
dc.subjectеквівалентна схемаuk_UA
dc.subjectвольт‐амперна характеристикаuk_UA
dc.subjectлінійна регресіяuk_UA
dc.subject.udc621.382.2uk_UA
dc.titleInvestigation of low power schottky diode I-V characteristicsuk_UA
dc.title.alternativeДослідження вольт-амперних характеристик малопотужних діодів шоткіuk_UA
dc.typeСтаттяuk_UA
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Vchnu_tekh_2014_4_10.pdf
Розмір:
493.74 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Назва:
license.txt
Розмір:
4.26 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Вісник ХНУ. Технічні науки - 2014 рік