Вісник ХНУ. Технічні науки - 2014 рік
Постійне посилання зібрання
Переглянути
Перегляд Вісник ХНУ. Технічні науки - 2014 рік за Ключові слова "621.382.2"
Зараз показуємо 1 - 2 з 2
Результатів на сторінці
Налаштування сортування
Документ Investigation of low power schottky diode I-V characteristics(Хмельницький національний університет, 2014) Kashtalian, A.S.; Каштальян, А.С.Abstract. I‐V characteristics of semiconductor ultrahigh frequency diode are considered in articles, such diodes are used for detection of an electromagnetic field and measurement of its density. The equivalent scheme of the ultrahigh frequency semiconductor diode, its parameters and its influence on the I‐V characteristics are examined. Approximation of IV curves of such class particular diodes is performed. Characteristics are divided into separate quadratic and linear zones for this purpose. Possibility of obtaining I‐V curve parameters by means of linear regression is offered.Документ Апроксимація залежності вольт-амперної характеристики діода Шоткі від температури(Хмельницький національний університет, 2014) Каштальян, А.С.; Kashtalian, A.S.Стаття присвячена дослідженню впливу температури на параметри надвисокочастотних малопотужних діодів з бар’єром Шоткі. Розглянуто та проаналізовано дані двофакторного експерименту, що описують залежність вихідного струму від вхідної напруги та температури. Розглянуто методику отримання аналітичних залежностей для вольтамперних характеристик діодів Шоткі з врахуванням температури. Для окремого діода Шоткі виконано апроксимацію сімейства прямих та зворотних вольтамперних характеристик. Прямі характеристики апроксимовані поліномом шостого порядку із коефіцієнтами у вигляді поліномів третього порядку. Для знаходження параметрів поліноміальної регресії було використано алгоритм ЛевенбергаМарквардта. Сімейство зворотних апроксимоване кусковолінійною функцією з коефіцієнтами у вигляді поліномів шостого порядку. Отримані похибки апроксимації підтверджують ефективність методики.