Апроксимація залежності вольт-амперної характеристики діода Шоткі від температури
Вантажиться...
Дата
2014
Автори
Каштальян, А.С.
Kashtalian, A.S.
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Хмельницький національний університет
Анотація
Стаття присвячена дослідженню впливу температури на параметри надвисокочастотних
малопотужних діодів з бар’єром Шоткі. Розглянуто та проаналізовано дані двофакторного експерименту, що
описують залежність вихідного струму від вхідної напруги та температури. Розглянуто методику отримання
аналітичних залежностей для вольтамперних
характеристик діодів Шоткі з врахуванням температури. Для
окремого діода Шоткі виконано апроксимацію сімейства прямих та зворотних вольтамперних
характеристик.
Прямі характеристики апроксимовані поліномом шостого порядку із коефіцієнтами у вигляді поліномів третього
порядку. Для знаходження параметрів поліноміальної регресії було використано алгоритм ЛевенбергаМарквардта.
Сімейство зворотних апроксимоване кусковолінійною
функцією з коефіцієнтами у вигляді поліномів
шостого порядку. Отримані похибки апроксимації підтверджують ефективність методики.
Schottky diodes find the place in measuring equipment as detectors and measuring converters of ultrahigh frequency electromagnetic fields among other applications. Temperature has essential influence on Schottky diode’s parameters therefore dependence of the diode’s IV characteristics on temperature should be considered in devices developing and functioning. The data analysis of twofactorial experiments of ultrahigh frequency low power diode is implemented. Approximation of forward and reverse IV curves sets are accomplished for Schottky separate diode taking into account temperature. Forward characteristics are approximated by a polynomial of the sixth order with coefficients in the form of polynomials of the third order. LevenbergMarquardt algorithm was applied to finding of polynomial regression parameters. Reverse characteristics set is approximated by piecewise linear function with coefficients in the form of sixth order polynomials. Thus the technique of obtaining of analytical dependences of output current vs. input voltage and temperature is received. These relations allow to consider temperature factor already at a development stage and also to correct an additional temperature error in the process of device functioning.
Schottky diodes find the place in measuring equipment as detectors and measuring converters of ultrahigh frequency electromagnetic fields among other applications. Temperature has essential influence on Schottky diode’s parameters therefore dependence of the diode’s IV characteristics on temperature should be considered in devices developing and functioning. The data analysis of twofactorial experiments of ultrahigh frequency low power diode is implemented. Approximation of forward and reverse IV curves sets are accomplished for Schottky separate diode taking into account temperature. Forward characteristics are approximated by a polynomial of the sixth order with coefficients in the form of polynomials of the third order. LevenbergMarquardt algorithm was applied to finding of polynomial regression parameters. Reverse characteristics set is approximated by piecewise linear function with coefficients in the form of sixth order polynomials. Thus the technique of obtaining of analytical dependences of output current vs. input voltage and temperature is received. These relations allow to consider temperature factor already at a development stage and also to correct an additional temperature error in the process of device functioning.
Опис
Ключові слова
діод, температура, напруга, струм, апроксимація, diode, temperature, voltage, current, approximation
Бібліографічний опис
Каштальян, А. С. Апроксимація залежності вольт-амперної характеристики діода Шоткі від температури [Текст] / А. С. Каштальян // Вісник Хмельницького національного університету. Технічні науки. – 2014. – № 5. – С. 209-216.