Апроксимація залежності вольт-амперної характеристики діода Шоткі від температури

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКаштальян, А.С.
dc.contributor.authorKashtalian, A.S.
dc.date.accessioned2015-05-26T13:20:53Z
dc.date.available2015-05-26T13:20:53Z
dc.date.issued2014
dc.description.abstractСтаття присвячена дослідженню впливу температури на параметри надвисокочастотних малопотужних діодів з бар’єром Шоткі. Розглянуто та проаналізовано дані двофакторного експерименту, що описують залежність вихідного струму від вхідної напруги та температури. Розглянуто методику отримання аналітичних залежностей для вольтамперних характеристик діодів Шоткі з врахуванням температури. Для окремого діода Шоткі виконано апроксимацію сімейства прямих та зворотних вольтамперних характеристик. Прямі характеристики апроксимовані поліномом шостого порядку із коефіцієнтами у вигляді поліномів третього порядку. Для знаходження параметрів поліноміальної регресії було використано алгоритм ЛевенбергаМарквардта. Сімейство зворотних апроксимоване кусковолінійною функцією з коефіцієнтами у вигляді поліномів шостого порядку. Отримані похибки апроксимації підтверджують ефективність методики.uk_UA
dc.description.abstractSchottky diodes find the place in measuring equipment as detectors and measuring converters of ultrahigh frequency electromagnetic fields among other applications. Temperature has essential influence on Schottky diode’s parameters therefore dependence of the diode’s IV characteristics on temperature should be considered in devices developing and functioning. The data analysis of twofactorial experiments of ultrahigh frequency low power diode is implemented. Approximation of forward and reverse IV curves sets are accomplished for Schottky separate diode taking into account temperature. Forward characteristics are approximated by a polynomial of the sixth order with coefficients in the form of polynomials of the third order. LevenbergMarquardt algorithm was applied to finding of polynomial regression parameters. Reverse characteristics set is approximated by piecewise linear function with coefficients in the form of sixth order polynomials. Thus the technique of obtaining of analytical dependences of output current vs. input voltage and temperature is received. These relations allow to consider temperature factor already at a development stage and also to correct an additional temperature error in the process of device functioning.uk_UA
dc.identifier.citationКаштальян, А. С. Апроксимація залежності вольт-амперної характеристики діода Шоткі від температури [Текст] / А. С. Каштальян // Вісник Хмельницького національного університету. Технічні науки. – 2014. – № 5. – С. 209-216.uk_UA
dc.identifier.issn2307-5732
dc.identifier.urihttps://elar.khmnu.edu.ua/handle/123456789/3801
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherХмельницький національний університетuk_UA
dc.subjectдіодuk_UA
dc.subjectтемператураuk_UA
dc.subjectнапругаuk_UA
dc.subjectструмuk_UA
dc.subjectапроксимаціяuk_UA
dc.subjectdiodeuk_UA
dc.subjecttemperatureuk_UA
dc.subjectvoltageuk_UA
dc.subjectcurrentuk_UA
dc.subjectapproximationuk_UA
dc.subject.udc621.382.2uk_UA
dc.titleАпроксимація залежності вольт-амперної характеристики діода Шоткі від температуриuk_UA
dc.title.alternativeApproximation of the dependence of the Schottky diode iv curves vs temperatureuk_UA
dc.typeСтаттяuk_UA
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Vchnu_tekh_2014_5_42.pdf
Розмір:
868.67 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Назва:
license.txt
Розмір:
4.26 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Вісник ХНУ. Технічні науки - 2014 рік